Тип памяти - DDR2 

Форм-фактор - MicroDIMM 214-контактный 

Тактовая частота - 400 МГц 

Пропускная способность - 3200 Мб/с 

Объем - 1 модуль 256 Мб 

Поддержка ECC - нет 

Буферизованная (Registered) - нет 

Низкопрофильная (Low Profile) - нет 

Тайминги

CAS Latency (CL) - 3 

RAS to CAS Delay (tRCD) - 3 

Row Precharge Delay (tRP) - 3 

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля - 4, односторонняя упаковка 

Напряжение питания - 1.8 В 

Количество ранков - 1